消費(fèi)電子防護(hù)解決方案領(lǐng)軍企業(yè)薩科微今日宣布，正式推出專(zhuān)為移動(dòng)終端設(shè)計(jì)的新一代超微型靜電放電（ESD）保護(hù)二極管SLESD9B3.3S。這款采用DFN1006封裝的器件針對(duì)智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備及物聯(lián)網(wǎng)終端的精密電路防護(hù)需求開(kāi)發(fā)，在3.3V工作電壓下實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的靜電防護(hù)性能與微型化設(shè)計(jì)的完美平衡。此次發(fā)布標(biāo)志著公司在移動(dòng)終端防護(hù)領(lǐng)域取得關(guān)鍵技術(shù)突破，為5G智能手機(jī)、折疊屏設(shè)備及高端TWS耳機(jī)提供更可靠的電路保護(hù)方案。

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD9B3.3S產(chǎn)品圖

突破性封裝技術(shù)重塑空間利用效率

SLESD9B3.3S采用2.0mm×1.0mm超緊湊DFN1006封裝，厚度僅0.4mm，在0.5mm焊盤(pán)間距內(nèi)實(shí)現(xiàn)0.25mm極窄邊框設(shè)計(jì)。這種創(chuàng)新封裝結(jié)構(gòu)特別優(yōu)化了智能手機(jī)主板的密集布局需求，其對(duì)稱(chēng)式引腳排列與激光蝕刻極性標(biāo)識(shí)可將貼裝誤差控制在±0.05mm范圍內(nèi)。值得關(guān)注的是，該器件在封裝側(cè)壁集成導(dǎo)電鍍層，使自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）設(shè)備的識(shí)別準(zhǔn)確率提升至99.98%，顯著降低高端智能手機(jī)制造中的品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)。

相較于傳統(tǒng)SOT-23封裝方案，新型DFN1006封裝將寄生電感降低至0.15nH以下，配合內(nèi)部?jī)?yōu)化的電流路徑設(shè)計(jì)，使器件在10GHz頻段下的[敏感詞]損耗低于0.05dB。這種電氣性能的突破性提升，使得SLESD9B3.3S可直接部署在USB-C連接器后方僅1.5mm的位置，在物理空間極度受限的智能手機(jī)內(nèi)部實(shí)現(xiàn)"零距離"防護(hù)。

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD9B3.3S規(guī)格書(shū)

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD9B3.3S相關(guān)參數(shù)

精密電性能設(shè)計(jì)保障系統(tǒng)穩(wěn)定性

針對(duì)智能手機(jī)中3.3V低壓電路的特殊需求，SLESD9B3.3S實(shí)現(xiàn)了10pF的行業(yè)領(lǐng)先結(jié)電容（Cj）。該參數(shù)在2.7-3.6V工作電壓范圍內(nèi)保持高度穩(wěn)定，使器件在MIPI D-PHY、USB 3.1 Gen2等高速差分信號(hào)線中的介入影響降至[敏感詞]。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，在4K@60Hz視頻傳輸場(chǎng)景中，搭載該保護(hù)器件的眼圖模板裕量保持率達(dá)97.2%，接近無(wú)保護(hù)狀態(tài)下的原始性能。

器件的靜電防護(hù)核心采用階梯式摻雜工藝，在PN結(jié)區(qū)域形成梯度電荷耗盡層。這種結(jié)構(gòu)使得反向工作電壓（VRWM=3.3V）下的漏電流（IR）穩(wěn)定控制在0.01μA水平，即便在85℃高溫環(huán)境下連續(xù)工作2000小時(shí)，參數(shù)漂移仍低于2%。對(duì)于需要超長(zhǎng)待機(jī)的智能手表或健康監(jiān)測(cè)設(shè)備，這種特性可有效避免因漏電流積累導(dǎo)致的電池續(xù)航衰減。

動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性突破防護(hù)極限

SLESD9B3.3S的擊穿電壓（VBR）設(shè)計(jì)采用雙模觸發(fā)機(jī)制：當(dāng)ESD脈沖來(lái)臨時(shí)，雪崩擊穿電壓精確控制在5V（最小值），確保在IEC 61000-4-2接觸放電±15kV測(cè)試中，鉗位電壓（VC）穩(wěn)定在8.5V。這種陡峭的伏安特性曲線得益于專(zhuān)利的量子隧穿復(fù)合結(jié)構(gòu)，使器件在皮秒級(jí)時(shí)間內(nèi)完成從高阻態(tài)到低阻態(tài)的轉(zhuǎn)換，實(shí)測(cè)觸發(fā)時(shí)間小于50ps。

在混合波脈沖測(cè)試中，該器件展現(xiàn)出卓越的能量處理能力：在10/700μs組合波沖擊下，可安全吸收35A（8/20μs）峰值電流，動(dòng)態(tài)電阻（Rdyn）低至0.6Ω。這種特性對(duì)于需要同時(shí)防御ESD和電源噪聲的折疊屏手機(jī)尤為重要，實(shí)測(cè)在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)，鉗位電壓波動(dòng)幅度不超過(guò)0.5V。

行業(yè)趨勢(shì)與市場(chǎng)展望

隨著5G毫米波技術(shù)、折疊屏結(jié)構(gòu)及UWB超寬帶通信在智能手機(jī)的普及，終端設(shè)備的電路復(fù)雜度正以每年35%的速度增長(zhǎng)。據(jù)Counterpoint Research預(yù)測(cè)，到2026年，配備高速接口的智能終端市場(chǎng)規(guī)模將突破850億美元，這對(duì)ESD防護(hù)器件提出更高要求。薩科微憑借在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的積累，正開(kāi)發(fā)基于GaN的新一代超高速防護(hù)器件，目標(biāo)將結(jié)電容進(jìn)一步壓縮至5pF量級(jí)。

SLESD9B3.3S的推出不僅完善了公司在移動(dòng)終端防護(hù)領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，更標(biāo)志著ESD防護(hù)技術(shù)從"基礎(chǔ)保護(hù)"向"系統(tǒng)優(yōu)化"的演進(jìn)。通過(guò)與SIP（系統(tǒng)級(jí)封裝）技術(shù)的深度整合，未來(lái)該器件有望集成電磁干擾濾波、過(guò)壓保護(hù)等功能，為智能手機(jī)提供全方位的電路防護(hù)解決方案。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，隨著AIoT設(shè)備的爆發(fā)式增長(zhǎng)，這種高度集成化的防護(hù)方案將成為智能終端設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)配置。